WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

önümleri

WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

gysga düşündiriş:

Bölüm belgisi :WSD6040DN56

BVDSS :60V

ID :36A

RDSON :14mΩ 

Kanal :N-kanal

Bukja :DFN5X6-8


Önümiň jikme-jigi

Arza

Haryt bellikleri

WINSOK MOSFET önümine syn

WSD6040DN56 MOSFET naprýa .eniýesi 60V, tok 36A, garşylyk 14mΩ, kanal N-kanal we paket DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET amaly ýerleri

Elektron çilimler MOSFET, simsiz zarýad berýän MOSFET, hereketlendirijiler MOSFET, dronlar MOSFET, lukmançylyk kömegi MOSFET, awtoulag zarýad berijileri MOSFET, dolandyryjylar MOSFET, sanly önümler MOSFET, kiçi öý enjamlary MOSFET, sarp ediş elektronikasy MOSFET.

WINSOK MOSFET beýleki marka material belgilerine gabat gelýär

AOS MOSFET AON6264C, AON6264E, AON6266E, AONS6662.STMikroelektronika MOSFET STL8DN6LF6AG.

MOSFET parametrleri

Nyşan

Parametr

Reýting

Bölümler

VDS

Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi

60

V

VGS

Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi

± 20

V

ID

Üznüksiz zeýkeş akymy TC = 25 ° C.

36

A

TC = 100 ° C.

22

ID

Üznüksiz zeýkeş akymy TA = 25 ° C.

8.4

A

TA = 100 ° C.

6.8

IDMa

Pulsirlenen zeýkeş akymy TC = 25 ° C.

140

A

PD

Iň ýokary güýç ýaýramagy TC = 25 ° C.

37.8

W

TC = 100 ° C.

15.1

PD

Iň ýokary güýç ýaýramagy TA = 25 ° C.

2.08

W

TA = 70 ° C.

1.33

IAS c

Güýç akymy, ýeke impuls

L = 0.5mH

16

A

EASc

Peke impulsly gar güýji

L = 0.5mH

64

mJ

IS

Diod üznüksiz öňe akym

TC = 25 ° C.

18

A

TJ

Iň ýokary çatryk temperaturasy

150

TSTG

Saklaýyş temperatura aralygy

-55-den 150-e çenli

RθJAb

Daşky gurşawa ýylylyk garşylyk çatrygy

Durnuk ýagdaý

60

/W

RθJC

Malylylyk garşylygy-hadysasy

Durnuk ýagdaý

3.3

/W

 

Nyşan

Parametr

Şertler

Min.

Görnüşi.

Maks.

Bölüm

Statik        

V (BR) DSS

Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Derwezäniň naprýa .eniýesi nol

VDS = 48 V, VGS = 0V

   

1

µA

 

TJ= 85 ° C.

   

30

IGSS

Derwezäniň syzmagy

VGS = ± 20V, VDS = 0V

    ± 100

nA

Aýratynlyklary barada        

VGS (TH)

Derwezäniň çäk naprýa .eniýesi

VGS = VDS, IDS = 250µA

1

1.6

2.5

V

RDSd

Zeýkeş çeşmesi Döwlet garşylygy

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4.5V, ID = 20A

  19

22

Geçmek        

Qg

Jemi derwezäniň tölegi

VDS = 30V

VGS = 10V

ID = 25A

  42  

nC

Qgs

Derwezäniň zarýady  

6.4

 

nC

Qgd

Derweze-zeýkeş zarýady  

9.6

 

nC

td

Gijä goýmak wagty

VGEN = 10V

VDD = 30V

ID = 1A

RG = 6Ω

RL = 30Ω

  17  

ns

tr

Işletmek wagty  

9

 

ns

td (öçürilen)

Öçürmek Gijä galmak wagty   58  

ns

tf

Öçürmek Güýz wagty   14  

ns

Rg

Gatyň garşylygy

VGS = 0V, VDS = 0V, f = 1MHz

 

1.5

 

Ω

Dinamiki        

Öpmek

Potensialda

VGS = 0V

VDS = 30V f = 1MHz

 

2100

 

pF

Kaz

Potensial   140  

pF

Crss

Tersine geçiriş ukyby   100  

pF

Zeýkeş çeşmesi diodyň aýratynlyklary we iň ýokary baha        

IS

Üznüksiz çeşme

VG = VD = 0V, tok güýji

   

18

A

ISM

Pulsed çeşme Current3    

35

A

VSDd

Diod öňe naprýa .eniýe

ISD = 20A, VGS = 0V

 

0.8

1.3

V

trr

Tersine dikeldiş wagty

ISD= 25A, dlSD/ dt = 100A / µs

  27  

ns

Qrr

Tersine dikeldiş tölegi   33  

nC


  • Öňki:
  • Indiki:

  • Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň