WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET önümine syn
WSD6040DN56 MOSFET naprýa .eniýesi 60V, tok 36A, garşylyk 14mΩ, kanal N-kanal we paket DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET amaly ýerleri
Elektron çilimler MOSFET, simsiz zarýad berýän MOSFET, hereketlendirijiler MOSFET, dronlar MOSFET, lukmançylyk kömegi MOSFET, awtoulag zarýad berijileri MOSFET, dolandyryjylar MOSFET, sanly önümler MOSFET, kiçi öý enjamlary MOSFET, sarp ediş elektronikasy MOSFET.
WINSOK MOSFET beýleki marka material belgilerine gabat gelýär
AOS MOSFET AON6264C, AON6264E, AON6266E, AONS6662.STMikroelektronika MOSFET STL8DN6LF6AG.
MOSFET parametrleri
Nyşan | Parametr | Reýting | Bölümler | ||
VDS | Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi | 60 | V | ||
VGS | Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi | ± 20 | V | ||
ID | Üznüksiz zeýkeş akymy | TC = 25 ° C. | 36 | A | |
TC = 100 ° C. | 22 | ||||
ID | Üznüksiz zeýkeş akymy | TA = 25 ° C. | 8.4 | A | |
TA = 100 ° C. | 6.8 | ||||
IDMa | Pulsirlenen zeýkeş akymy | TC = 25 ° C. | 140 | A | |
PD | Iň ýokary güýç ýaýramagy | TC = 25 ° C. | 37.8 | W | |
TC = 100 ° C. | 15.1 | ||||
PD | Iň ýokary güýç ýaýramagy | TA = 25 ° C. | 2.08 | W | |
TA = 70 ° C. | 1.33 | ||||
IAS c | Güýç akymy, ýeke impuls | L = 0.5mH | 16 | A | |
EASc | Peke impulsly gar güýji | L = 0.5mH | 64 | mJ | |
IS | Diod üznüksiz öňe akym | TC = 25 ° C. | 18 | A | |
TJ | Iň ýokary çatryk temperaturasy | 150 | ℃ | ||
TSTG | Saklaýyş temperatura aralygy | -55-den 150-e çenli | ℃ | ||
RθJAb | Daşky gurşawa ýylylyk garşylyk çatrygy | Durnuk ýagdaý | 60 | ℃/W | |
RθJC | Malylylyk garşylygy-hadysasy | Durnuk ýagdaý | 3.3 | ℃/W |
Nyşan | Parametr | Şertler | Min. | Görnüşi. | Maks. | Bölüm | |
Statik | |||||||
V (BR) DSS | Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
IDSS | Derwezäniň naprýa .eniýesi nol | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
TJ= 85 ° C. | 30 | ||||||
IGSS | Derwezäniň syzmagy | VGS = ± 20V, VDS = 0V | ± 100 | nA | |||
Aýratynlyklary barada | |||||||
VGS (TH) | Derwezäniň çäk naprýa .eniýesi | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
RDSd | Zeýkeş çeşmesi Döwlet garşylygy | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
VGS = 4.5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
Geçmek | |||||||
Qg | Jemi derwezäniň tölegi | VDS = 30V VGS = 10V ID = 25A | 42 | nC | |||
Qgs | Derwezäniň zarýady | 6.4 | nC | ||||
Qgd | Derweze-zeýkeş zarýady | 9.6 | nC | ||||
td | Gijä goýmak wagty | VGEN = 10V VDD = 30V ID = 1A RG = 6Ω RL = 30Ω | 17 | ns | |||
tr | Işletmek wagty | 9 | ns | ||||
td (öçürilen) | Öçürmek Gijä galmak wagty | 58 | ns | ||||
tf | Öçürmek Güýz wagty | 14 | ns | ||||
Rg | Gatyň garşylygy | VGS = 0V, VDS = 0V, f = 1MHz | 1.5 | Ω | |||
Dinamiki | |||||||
Öpmek | Potensialda | VGS = 0V VDS = 30V f = 1MHz | 2100 | pF | |||
Kaz | Potensial | 140 | pF | ||||
Crss | Tersine geçiriş ukyby | 100 | pF | ||||
Zeýkeş çeşmesi diodyň aýratynlyklary we iň ýokary baha | |||||||
IS | Üznüksiz çeşme | VG = VD = 0V, tok güýji | 18 | A | |||
ISM | Pulsed çeşme Current3 | 35 | A | ||||
VSDd | Diod öňe naprýa .eniýe | ISD = 20A, VGS = 0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
trr | Tersine dikeldiş wagty | ISD= 25A, dlSD/ dt = 100A / µs | 27 | ns | |||
Qrr | Tersine dikeldiş tölegi | 33 | nC |