WSD30L88DN56 goşa P-kanal -30V -49A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

gysga düşündiriş:

Model belgisi:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11.5mΩ

Şahsyýetnamasy:-49A

Kanal:Iki P-kanal

Bukja:DFN5 * 6-8

Önümiň gysgaça mazmuny:WSD30L88DN56 MOSFET naprýa .eniýesi -30V, tok-49A, garşylygy 11.5mΩ, kanal goşa P-kanal we paket DFN5 * 6-8.

Goýmalar:Elektron çilimler, simsiz zarýad bermek, hereketlendirijiler, dronlar, lukmançylyk kömegi, awtoulag güýçlendirijileri, dolandyryjylar, sanly önümler, kiçi durmuş enjamlary, sarp ediş elektronikasy.

Bize e-poçta iberiň PDF

Önümiň jikme-jigi

Arza

Haryt bellikleri

Umumy düşündiriş

WSD30L88DN56, ýokary öýjükli dykyzlygy bolan iň ýokary öndürijilikli goşa P-Ch MOSFET bolup, sinhron buk öwrüji programmalarynyň köpüsi üçin ajaýyp RDSON we derwezäniň zarýadyny üpjün edýär.WSD30L88DN56 RoHS we Green Product talaplaryna laýyk gelýär, doly funksiýa ygtybarlylygy bilen kepillendirilen 100% EAS.

Aýratynlyklary

Öňdebaryjy ýokary öýjükli dykyzlyk çukur tehnologiýasy ， Super pes derwezäniň zarýady ， Ajaýyp CdV / dt täsiriniň peselmegi ， 100% EAS kepillendirilen ， Greenaşyl enjam bar.

Goýmalar

Freokary ýygylyk nokady-sinhron MB MB / NB / UMPC / VGA üçin Bak öwrüji önümler, kiçi durmuş enjamlary, sarp ediş elektronikasy.

degişli material belgisi

AOS

Möhüm parametrler

Nyşan	Parametr	Reýting	Bölümler
VDS	Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi	-30	V
VGS	Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi	± 20	V
ID @ TC = 25 ℃	Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ -10V1	-49	A
ID @ TC = 100 ℃	Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Pulsirlenen zeýkeş akymy2	-120	A
EAS	Peke impulsly güýç güýji3	68	mJ
PD @ TC = 25 ℃	Jemi güýç paýlanyşy4	40	W
TSTG	Saklaýyş temperatura aralygy	-55-den 150-e çenli	℃
TJ	Işleýän çatryk temperatura diapazony	-55-den 150-e çenli	℃