WSD2090DN56 N-kanal 20V 80A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

gysga düşündiriş:

Model belgisi:WSD2090DN56

BVDSS:20V

RDSON:2.8mΩ

Şahsyýetnamasy:80A

Kanal:N-kanal

Bukja:DFN5 * 6-8

Önümiň gysgaça mazmuny:WSD2090DN56 MOSFET naprýa .eniýesi 20V, tok 80A, garşylyk 2,8mΩ, kanal N-kanal we paket DFN5 * 6-8.

Goýmalar:Elektron çilimler, dronlar, elektrik gurallary, fasia ýaraglary, PD, kiçi durmuş enjamlary we ş.m.

Bize e-poçta iberiň PDF

Önümiň jikme-jigi

Arza

Haryt bellikleri

Umumy düşündiriş

WSD2090DN56, ýokary öýjükli dykyzlygy bolan N-Ch MOSFET iň ýokary öndürijilik çukury bolup, sinhron buk öwrüji programmalarynyň köpüsi üçin ajaýyp RDSON we derwezäniň zarýadyny üpjün edýär.WSD2090DN56 RoHS we Green Product talaplaryna 100% EAS talaplaryna laýyk gelýär, doly funksiýa ygtybarlylygy kepillendirilýär.

Aýratynlyklary

Öýjükli ýokary dykyzlykly çukur tehnologiýasy, Super pes derwezäniň zarýady, ajaýyp CdV / dt täsiriniň peselmegi, 100% EAS kepillendirilen, ýaşyl enjam bar

Goýmalar

Wyklýuçatel, güýç ulgamy, ýük açary, elektron çilimler, dronlar, elektrik gurallary, fasia ýaraglary, PD, kiçi durmuş enjamlary we ş.m.

degişli material belgisi

AOS AON6572

Möhüm parametrler

Absolute Maksimum Reýtingler (TC = 25 otherwise başgaça bellenilmedik bolsa)

Nyşan	Parametr	Maks.	Bölümler
VDSS	Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi	20	V
VGSS	Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi	± 12	V
ID @ TC = 25 ℃	Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ 10V1	80	A
ID @ TC = 100 ℃	Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Pulsirlenen drena Current Häzirki bellik1	360	A
EAS	Peke Pulsed Güýç Energiýasy belligi2	110	mJ
PD	Kuwwatyň ýaýramagy	81	W
RθJA	Malylylyk garşylygy, hadysanyň çatrygy	65	℃ / W.
RθJC	Malylylyk garşylyk çatrygy-1-nji hadysa	4	℃ / W.
TJ, TSTG	Işleýiş we saklanyş temperatura aralygy	-55-den +175-e çenli	℃

Elektrik aýratynlyklary (TJ = 25 otherwise, başgaça bellenilmedik bolsa)

Nyşan	Parametr	Şertler	Min	Görnüşi	Maks	Bölümler
BVDSS	Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi	VGS = 0V, ID = 250μA	20	24	---	V
VD BVDSS / △ TJ	BVDSS temperatura koeffisiýenti	25 ℃, ID = 1mA salgylanma	---	0.018	---	V / ℃
VGS (th)	Derwezäniň çäk naprýa .eniýesi	VDS = VGS, ID = 250μA	0.50	0.65	1.0	V
RDS (ON)	Statik drena-çeşmesi garşylyk	VGS = 4.5V, ID = 30A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS (ON)	Statik drena-çeşmesi garşylyk	VGS = 2.5V, ID = 20A	---	4.0	6.0	mΩ
IDSS	Derwezäniň naprýa .eniýesi nol	VDS = 20V, VGS = 0V	---	---	1	μA
IGSS	Derwezäniň bedeniniň syzmagy	VGS = ± 10V, VDS = 0V	---	---	± 100	nA
Öpmek	Giriş ukyby	VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHZ	---	3200	---	pF
Kaz	Çykyş ukyby		---	460	---
Crss	Tersine geçiriş ukyby		---	446	---
Qg	Jemi derwezäniň tölegi	VGS = 4.5V, VDS = 10V, ID = 30A	---	11.05	---	nC
Qgs	Derwezäniň çeşmesi		---	1.73	---
Qgd	Derweze-zeýkeş zarýady		---	3.1	---
tD	Gijä goýmak wagty	VGS = 4.5V, VDS = 10V, ID = 30ARGEN = 1.8Ω	---	9.7	---	ns
tr	Işletmek wagty		---	37	---
tD (öçürilen)	Öçürmek Gijä galmak wagty		---	63	---
tf	Öçürmek güýz wagty		---	52	---
VSD	Diod öňe naprýa .eniýe	IS = 7.6A, VGS = 0V	---	---	1.2	V