WSD100N15DN56G N-kanal 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Bölüm belgisi ：WSD100N15DN56G

BVDSS ：150V

ID ：100A

RDSON ：6mΩ

Kanal ：N-kanal

Bukja ：DFN5X6-8

Bize e-poçta iberiň PDF

Önümiň jikme-jigi

WSD100N15DN56G MOSFET naprýa .eniýesi 150V, tok 100A, garşylyk 6mΩ, kanal N-kanal we paket DFN5X6-8.

Lukmançylyk güýji MOSFET, PDs MOSFET, dronlar MOSFET, elektron çilimler MOSFET, esasy enjamlar MOSFET we MOSFET güýç gurallary bilen üpjün edýär.

Nyşan	Parametr	Reýting	Bölümler
VDS	Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi	150	V
VGS	Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi	± 20	V
ID	Üznüksiz zeýkeş akymy, V._GS@ 10V (T._C= 25 ℃)	100	A
IDM	Pulsirlenen zeýkeş akymy	360	A
EAS	Peke impulsly gar güýji	400	mJ
P_D	Jemi güýç ýaýramagy ..._C= 25 ℃)	160	W
RθJA	Malylylyk garşylygy, çatryk-gurşaw	62	℃ / W.
RθJC	Malylylyk garşylygy, çatryk	0.78	℃ / W.
TSTG	Saklaýyş temperatura aralygy	-55-den 175-e çenli	℃
T_J	Işleýän çatryk temperatura diapazony	-55-den 175-e çenli	℃

Nyşan	Parametr	Şertler	Min.	Görnüşi.	Maks.	Bölüm
BV_DSS	Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi	V_GS= 0V, I._D= 250uA	150	---	---	V
RDS (ON)	Statik drena-çeşmesi garşylyk²	V_GS= 10V, I._D= 20A	---	9	12	mΩ
VGS (th)	Derwezäniň çäk naprýa .eniýesi	V_GS=V_DS, Men_D= 250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Zeýkeş çeşmesiniň syzmagy tok	V_DS= 100V, V._GS= 0V, T._J= 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Derwezäniň çeşmesiniň syzmagy	V_GS= ± 20V, V._DS= 0V	---	---	± 100	nA
Q_g	Jemi derwezäniň tölegi	V_DS= 50V, V._GS= 10V, I._D= 20A	---	66	---	nC
Q_gs	Derwezäniň çeşmesi		---	26	---
Q_gd	Derweze-zeýkeş zarýady		---	18	---
Td	Gijä goýmak wagty	V_DD= 50V,V_GS= 10V R_G= 2Ω, I_D= 20A	---	37	---	ns
T_r	Wagtyň ýokarlanmagy		---	98	---
Td (öçürilen)	Öçürmek gijikdirme wagty		---	55	---
T_f	Güýz wagty		---	20	---
C_çykarmak	Giriş ukyby	V_DS= 30V, V._GS= 0V, f = 1MHz	---	5450	---	pF
Kaz	Çykyş ukyby		---	1730	---
C_rss	Tersine geçiriş ukyby		---	195	---