WSD100N06GDN56 N-kanal 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET önümine syn
WSD100N06GDN56 MOSFET naprýa 60eniýesi 60V, tok 100A, garşylyk 3mΩ, kanal N-kanal we paket DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET amaly ýerleri
Lukmançylyk güýji MOSFET, PDs MOSFET, dronlar MOSFET, elektron çilimler MOSFET, esasy enjamlar MOSFET we MOSFET güýç gurallary bilen üpjün edýär.
WINSOK MOSFET beýleki marka material belgilerine gabat gelýär
AOS MOSFET AON6264C, AON6264E, AON6266E, AONS6662.STMikroelektronika MOSFET STL13N6F7, STL14N6F7.
MOSFET parametrleri
| Nyşan | Parametr | Reýting | Bölümler | ||
| VDS | Zeýkeş çeşmesiniň naprýa .eniýesi | 60 | V | ||
| VGS | Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi | ± 20 | V | ||
| ID1,6 | Üznüksiz zeýkeş akymy | TC = 25 ° C. | 100 | A | |
| TC = 100 ° C. | 65 | ||||
| IDM2 | Pulsirlenen zeýkeş akymy | TC = 25 ° C. | 240 | A | |
| PD | Iň ýokary güýç ýaýramagy | TC = 25 ° C. | 83 | W | |
| TC = 100 ° C. | 50 | ||||
| IAS | Güýç akymy, ýeke impuls | 45 | A | ||
| EAS3 | Peke impulsly gar güýji | 101 | mJ | ||
| TJ | Iň ýokary çatryk temperaturasy | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Saklaýyş temperatura aralygy | -55-den 150-e çenli | ℃ | ||
| RθJA1 | Daşky gurşawa ýylylyk garşylyk çatrygy | Durnuk ýagdaý | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Malylylyk garşylygy-hadysasy | Durnuk ýagdaý | 1.5 | ℃/W | |
| Nyşan | Parametr | Şertler | Min. | Görnüşi. | Maks. | Bölüm | |
| Statik | |||||||
| V (BR) DSS | Zeýkeş çeşmesiniň bölüniş naprýa .eniýesi | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Derwezäniň naprýa .eniýesi nol | VDS = 48 V, VGS = 0V | 1 | µA | |||
| TJ= 85 ° C. | 30 | ||||||
| IGSS | Derwezäniň syzmagy | VGS = ± 20V, VDS = 0V | ± 100 | nA | |||
| Aýratynlyklary barada | |||||||
| VGS (TH) | Derwezäniň çäk naprýa .eniýesi | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS2 | Zeýkeş çeşmesi Döwlet garşylygy | VGS = 10V, ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Geçmek | |||||||
| Qg | Jemi derwezäniň tölegi | VDS = 30V VGS = 10V ID = 20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Derwezäniň zarýady | 16 | nC | ||||
| Qgd | Derweze-zeýkeş zarýady | 4.0 | nC | ||||
| td | Gijä goýmak wagty | VGEN = 10V VDD = 30V ID = 20A RG = Ω | 18 | ns | |||
| tr | Işletmek wagty | 8 | ns | ||||
| td (öçürilen) | Öçürmek Gijä galmak wagty | 50 | ns | ||||
| tf | Öçürmek Güýz wagty | 11 | ns | ||||
| Rg | Gatyň garşylygy | VGS = 0V, VDS = 0V, f = 1MHz | 0.7 | Ω | |||
| Dinamiki | |||||||
| Öpmek | Potensialda | VGS = 0V VDS = 30V f = 1MHz | 3458 | pF | |||
| Kaz | Potensial | 1522 | pF | ||||
| Crss | Tersine geçiriş ukyby | 22 | pF | ||||
| Zeýkeş çeşmesi diodyň aýratynlyklary we iň ýokary baha | |||||||
| IS1,5 | Üznüksiz çeşme | VG = VD = 0V, tok güýji | 55 | A | |||
| ISM | Pulsed çeşme Current3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Diod öňe naprýa .eniýe | ISD = 1A, VGS = 0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tersine dikeldiş wagty | ISD= 20A, dlSD/ dt = 100A / µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Tersine dikeldiş tölegi | 33 | nC | ||||
