-
Olukey: Geliň, çalt zarýad bermegiň esasy arhitekturasynda MOSFET-iň roly barada gürleşeliň
Çalt zarýad berilýän QC-iň esasy elektrik üpjünçiligi gurluşy uçuş + ikinji tarap (ikinji) sinhron düzediş SSR ulanýar. Uçuş öwrüjileri üçin seslenme nusga alma usulyna görä, esasy tarapa (prima ...) bölünip bilner. -
MOSFET parametrleri barada näçe bilýärsiňiz? OLUKEY muny siziň üçin analiz edýär
"MOSFET" metal oksidi ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistorynyň gysgaldylyşy. Üç materialdan ýasalan enjam: metal, oksid (SiO2 ýa-da SiN) we ýarymgeçiriji. MOSFET ýarymgeçiriji meýdançasyndaky iň esasy enjamlardan biridir. ... -
MOSFET-i nädip saýlamaly?
Recentlyakynda, köp müşderi Olukey MOSFET-ler hakda maslahatlaşmak üçin gelenlerinde, laýyk MOSFET-i nädip saýlamaly diýen sorag bererler? Bu sorag barada Olukey hemmeler üçin jogap berer. Ilki bilen şazada düşünmeli ... -
N-kanaly güýçlendirmek tertibi MOSFET-iň iş prinsipi
. Derwezäniň çeşmesi naprýa .eniýesi vGS = 0 bolanda-da ... -
MOSFET gaplamasy bilen parametrleriň arasyndaky baglanyşyk, degişli gaplama bilen FET-leri nädip saýlamaly
UgGaplanylýan gaplama: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; Face faceerüsti gurnama görnüşi: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5 * 6, DFN3 * 3; Dürli gaplama görnüşleri, degişli çäk tok, naprýa andeniýe we MO-nyň ýylylyk bölüniş täsiri ... -
Gaplanan MOSFET-iň G, S we D üç nokady nämäni aňladýar?
Bu gaplanan MOSFET piroelektrik infragyzyl datçik. Gönüburçly çarçuwa duýgur penjiredir. G pin ýerüsti terminal, D pin içerki MOSFET zeýkeşidir, S pin bolsa içki MOSFET çeşmesidir. Zynjyrda, ... -
Enelik tagtany ösdürmekde we dizaýnda MOSFET güýjüniň ähmiýeti
Ilki bilen, CPU rozetkasynyň ýerleşişi gaty möhümdir. CPU janköýerini gurmak üçin ýeterlik ýer bolmaly. Anakartyň gyrasyna gaty ýakyn bolsa, käbir ýagdaýlarda CPU radiatoryny gurmak kyn bolar ... -
Powerokary kuwwatly MOSFET ýylylyk paýlaýjy enjamyň önümçilik usuly barada gysgaça gürleşiň
Planörite meýilnama: içi boş gurluş we zynjyr tagtasy ýaly ýokary güýçli MOSFET ýylylyk paýlaýjy enjam. Zynjyr tagtasy korpusda ýerleşdirildi. Birnäçe gapdal MOSFET zynjyryň iki ujuna birikdirildi ... -
FET DFN2X2 paket ýeke P-kanal 20V-40V model tertibi_WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET DFN2X2-6L paket, bir P kanaly FET, naprýa 20eniýe 20V-40V modeller aşakdaky ýaly jemlenendir: 1. Model: WSD8823DN22 ýeke P kanaly -20V -3.4A, içerki garşylyk 60mΩ Degişli modeller: AOS: AON2403 onarymgeçirijide: FDM ... -
Powerokary güýçli MOSFET-iň iş ýörelgesiniň jikme-jik düşündirilişi
Powerokary kuwwatly MOSFETler (metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan täsirli tranzistorlar) häzirki zaman elektron in engineeringenerçiliginde möhüm rol oýnaýar. Bu enjam i sebäpli güýçli elektronikada we ýokary kuwwatly programmalarda aýrylmaz komponente öwrüldi ... -
MOSFET-iň iş ýörelgesine düşüniň we elektron böleklerini has netijeli ulanyň
Bu ýokary öndürijilikli elektron böleklerinden netijeli peýdalanmak üçin MOSFET-leriň (metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan-täsir tranzistorlary) işleýiş ýörelgelerine düşünmek möhümdir. MOSFET-ler elektron görnüşinde aýrylmaz elementler ... -
Bir bölümde MOSFET-e düşüniň
Kuwwat ýarymgeçiriji enjamlar senagatda, sarp edişde, harby we beýleki ugurlarda giňden ulanylýar we ýokary strategiki pozisiýa eýeleýär. Elektrik enjamlarynyň umumy suratyna bir suratdan seredeliň: ...