Recentlyakynda, köp müşderi Olukey MOSFET-ler hakda maslahatlaşmak üçin gelenlerinde, laýyk MOSFET-i nädip saýlamaly diýen sorag bererler? Bu sorag barada Olukey hemmeler üçin jogap berer.
Ilki bilen MOSFET ýörelgesine düşünmelidiris. MOSFET-iň jikme-jiklikleri "MOS meýdan effekti tranzistory näme" atly öňki makalada jikme-jik görkezilýär. Entek düşnüksiz bolsaňyz, ilki bilen bu hakda öwrenip bilersiňiz. Plyönekeý söz bilen aýdylanda, MOSFET naprýa .eniýe bilen dolandyrylýan ýarymgeçiriji komponentlere degişlidir, ýokary giriş garşylygy, pes ses, az energiýa sarp etmek, uly dinamiki diapazon, aňsat integrasiýa, ikinji derejeli bökdençlik we uly howpsuz iş aralygy.
Şeýlelik bilen, nädip dogry saýlamaly?MOSFET?
1. N-kanal ýa-da P-kanal MOSFET ulanmalydygyny kesgitläň
Ilki bilen, aşakda görkezilişi ýaly ilki bilen N-kanal ýa-da P-kanal MOSFET ulanmalydygyny kesgitlemeli:
Aboveokardaky suratdan görnüşi ýaly, N-kanal bilen P-kanal MOSFET-leriň arasynda aç-açan tapawutlar bar. Mysal üçin, MOSFET topraklananda we ýük şahanyň naprýa .eniýesine birikdirilende, MOSFET ýokary woltly gapdal wyklýuçatelini emele getirýär. Bu wagt N-kanal MOSFET ulanylmaly. Munuň tersine, MOSFET awtobusa birikdirilende we ýük ýere düşende pes taraply wyklýuçatel ulanylýar. P-kanal MOSFET-ler, adatça, belli bir topologiýada ulanylýar, bu hem naprýa driveeniýe hereketlendirijisiniň pikirleri sebäpli bolýar.
2. MOSFET-iň goşmaça naprýa .eniýesi we goşmaça tok
(1). MOSFET tarapyndan talap edilýän goşmaça naprýa .eniýäni kesgitläň
Ikinjiden, naprýatageeniýe sürüjisi üçin zerur goşmaça naprýa .eniýäni ýa-da enjamyň kabul edip biljek iň ýokary naprýa .eniýesini kesgitläris. MOSFET-iň goşmaça naprýa .eniýesi näçe uly bolsa. Diýmek, saýlanmaly MOSFETVDS talaplary näçe köp bolsa, MOSFET-iň kabul edip biljek iň ýokary naprýa .eniýesine esaslanyp dürli ölçegleri we saýlamalary geçirmek möhümdir. Elbetde, umuman göçme enjamlar 20V, FPGA elektrik üpjünçiligi 20 ~ 30V, 85 ~ 220VAC bolsa 450 ~ 600V. WINSOK tarapyndan öndürilen MOSFET güýçli naprýa resistanceeniýe garşylygy we amaly goşundylar köp we ulanyjylaryň köpüsi tarapyndan makullanýar. Islegleriňiz bar bolsa, onlaýn müşderi hyzmatyna ýüz tutmagyňyzy haýyş edýäris.
(2) MOSFET tarapyndan talap edilýän goşmaça tok kesgitläň
Bahalandyrylan naprýa conditionseniýe şertleri hem saýlananda, MOSFET tarapyndan talap edilýän bahalandyrylan tok kesgitlemeli. Bahalandyrylan tok diýilýän zat, aslynda MOS ýüküniň islendik şertde çydap biljek iň ýokary tokdyr. Naprýatageeniýe ýagdaýyna meňzeşlikde, saýlan MOSFET ulgamyň häzirki tüpeňleri döredýän hem bolsa, belli bir mukdarda goşmaça tok dolandyryp biljekdigine göz ýetiriň. Iki göz öňünde tutulmaly şert, üznüksiz nagyşlar we impuls tüpeňleri. Üznüksiz geçiriji re Inimde, tok enjamdan akmagyny dowam etdirýän mahaly, MOSFET durnukly ýagdaýda. Impulsyň tüpeňi enjamyň içinden akýan az mukdarda (ýa-da iň ýokary tok) aňladýar. Daşky gurşawdaky iň ýokary tok kesgitlenenden soň, diňe belli bir tok bilen çydap bilýän enjamy gönüden-göni saýlamaly bolarsyňyz.
Goşmaça tok saýlanylandan soň, geçirijilik sarp edilişi hem göz öňünde tutulmalydyr. Hakyky ýagdaýlarda MOSFET hakyky enjam däl, sebäbi geçiriji ýitgi diýilýän ýylylyk geçiriji prosesinde kinetiki energiýa sarp edilýär. MOSFET "açyk" bolanda, enjamyň RDS (ON) tarapyndan kesgitlenýän we ölçeg bilen ep-esli üýtgeýän üýtgeýän rezistor ýaly hereket edýär. Enjamyň kuwwatyny Iload2 × RDS (ON) bilen hasaplap bolýar. Ölçeg bilen gaýtarma garşylygy üýtgänsoň, energiýa sarp edilişi hem şoňa görä üýtgär. MOSFET-de ulanylýan naprýa Veniýe VGS näçe ýokary bolsa, RDS (ON) şonça-da kiçi bolar; tersine, RDS (ON) has ýokary bolar. RDS (ON) garşylygy tok bilen birneme azalýar. RDS (ON) rezistory üçin elektrik parametrleriniň her toparynyň üýtgemelerini öndürijiniň önüm saýlamak tablisasynda tapyp bilersiňiz.
3. Ulgam tarapyndan talap edilýän sowadyş talaplaryny kesgitläň
Geljekde kesgitlenmeli şert, ulgam tarapyndan talap edilýän ýylylygyň ýaýramagy talaplarydyr. Bu ýagdaýda iki meňzeş ýagdaýy göz öňünde tutmaly, ýagny iň erbet ýagdaý we hakyky ýagdaý.
MOSFET ýylylygyň ýaýramagy barada,Olukeyiň erbet ýagdaýyň çözgüdini ileri tutýar, sebäbi belli bir täsir ulgamyň şowsuz bolmagyny üpjün etmek üçin has uly ätiýaçlandyryş marginini talap edýär. MOSFET maglumatlar sahypasynda ünsi talap edýän käbir ölçeg maglumatlary bar; enjamyň çatryk temperaturasy iň ýokary şert ölçegine we ýylylyk garşylygynyň we güýjiň bölünişiniň önümine deňdir (çatryk temperaturasy = iň ýokary ýagdaýy ölçemek + [termiki garşylyk × güýç ýaýramagy)). Ulgamyň iň ýokary güýç ýaýramagy kesgitleme boýunça I2 × RDS (ON) bilen deň bolan belli bir formula görä çözülip bilner. Enjamdan geçjek we dürli ölçeglerde RDS (ON) hasaplap biljek iň ýokary tok hasapladyk. Mundan başga-da, zynjyr tagtasynyň we onuň MOSFET-iň ýylylyk ýaýramagy barada alada edilmelidir.
Güýç döwülmegi ýarym geçiriji komponentdäki ters naprýa .eniýeniň iň ýokary bahadan ýokarydygyny we komponentdäki toky artdyrýan güýçli magnit meýdanyny emele getirýändigini aňladýar. Çip ululygynyň ýokarlanmagy ýeliň ýykylmagynyň öňüni alar we netijede enjamyň durnuklylygyny ýokarlandyrar. Şonuň üçin has uly bukjany saýlamak göçüň öňüni alyp biler.
4. MOSFET-iň kommutasiýa işini kesgitläň
Iň soňky höküm şerti MOSFET-iň kommutasiýa ýerine ýetirijiligi. MOSFET-iň kommutasiýa işine täsir edýän köp faktor bar. Iň möhümleri elektrod-drena, elektrod çeşmesi we drena source çeşmesiniň üç parametridir. Kondensator her gezek açylanda zarýad berilýär, bu bolsa kondensatorda ýitgileriň ýitmegini aňladýar. Şonuň üçin MOSFET-iň kommutasiýa tizligi peseler we enjamyň netijeliligine täsir eder. Şonuň üçin MOSFET-i saýlamak işinde, kommutasiýa prosesinde enjamyň umumy ýitgisine baha bermek we hasaplamak zerur. Işletmek prosesinde ýitgini (Eon) we öçürmek prosesinde ýitgini hasaplamaly. (Eoff). MOSFET wyklýuçateliniň umumy güýji aşakdaky deňleme bilen aňladylyp bilner: Psw = (Eon + Eoff) × kommutasiýa ýygylygy. Derwezäniň zarýady (Qgd) kommutasiýa işine iň uly täsir edýär.
Jemläp aýtsak, degişli MOSFET saýlamak üçin degişli karar dört tarapdan çykarylmaly: N-kanal MOSFET ýa-da P-kanal MOSFET-iň goşmaça naprýa andeniýesi we goşmaça tok, enjam ulgamynyň ýylylyk ýaýramagy talaplary we kommutasiýa öndürijiligi MOSFET
Dogry MOSFET-i nädip saýlamalydygy barada şu günki gün. Size kömek edip biler diýip umyt edýärin.
Iş wagty: 12-2023-nji dekabry
