WINSOK MOSFET elektron tizligi sazlaýjylarda ulanylýar

Arza

WINSOK MOSFET elektron tizligi sazlaýjylarda ulanylýar

Elektronika we awtomatlaşdyryş pudagyndaMOSFET(metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan effektli tranzistorlar) elektron tizligi sazlaýjylaryň (ESR) işini gowulandyrmakda esasy faktor boldy. Bu makalada MOSFET-leriň nähili işleýändigi we elektron tizligini dolandyrmakda nähili möhüm rol oýnajakdygy öwreniler.

WINSOK MOSFET elektron tizligi sazlaýjylarda ulanylýar

MOSFET-iň esasy iş ýörelgesi:

MOSFET ýarymgeçiriji enjam bolup, elektrik togunyň akymyny naprýatageeniýe dolandyryşy arkaly açýar ýa-da öçürýär. Elektron tizligi sazlaýjylarda MOSFET-ler hereketlendirijiniň häzirki akymyny sazlamak üçin hereketlendiriji element hökmünde ulanylýar, hereketlendirijiniň tizligini takyk dolandyrmaga mümkinçilik berýär.

 

MOSFET-leriň elektron tizligini sazlaýjy programmalary:

Ajaýyp kommutasiýa tizliginden we täsirli tok dolandyryş mümkinçiliklerinden peýdalanyp, MOSFET-ler PWM (Pulse Width Modulation) zynjyrlarynda elektron tizligi sazlaýjylarda giňden ulanylýar. Bu programma, motoryň dürli ýük şertlerinde durnukly we netijeli işlemegini üpjün edýär.

 

Dogry MOSFET saýlaň:

Elektron tizlik sazlaýjy dizaýn edilende, dogry MOSFET saýlamak gaty möhümdir. Göz öňünde tutmaly parametrlere iň ýokary drena source çeşmesiniň naprýa .eniýesi (V_DS), üznüksiz syzmak toky (I_D), kommutasiýa tizligi we ýylylyk öndürijiligi degişlidir.

Elektron tizligi sazlaýjylarda WINSOK MOSFET-leriň programma bölek belgileri:

Bölek belgisi

Sazlama

Görnüşi

VDS

Şahsyýetnamasy (A)

VGS (th) (v)

RDS (ON) (mΩ)

Öpmek

Bukja

@ 10V

(V)

Maks.

Min.

Görnüşi.

Maks.

Görnüşi.

Maks.

(pF)

WSD3050DN

Leeke

N-Ç

30

50

1.5

1.8

2.5

6.7

8.5

1200

DFN3X3-8

WSD30L40DN

Leeke

P-Ç

-30

-40

-1.3

-1.8

-2.3

11

14

1380

DFN3X3-8

WSD30100DN56

Leeke

N-Ç

30

100

1.5

1.8

2.5

3.3

4

1350

DFN5X6-8

WSD30160DN56

Leeke

N-Ç

30

120

1.2

1.7

2.5

1.9

2.5

4900

DFN5X6-8

WSD30150DN56

Leeke

N-Ç

30

150

1.4

1.7

2.5

1.8

2.4

3200

DFN5X6-8

 

Degişli material sanlary aşakdakylar:

WINSOK WSD3050DN degişli material belgisi: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542.Onsemi, FAIRCHILD NTTFS4939N, NTTFS4C08N.VISHAYN PANJIT PJQ4408P. NIKO-SEM PE5G6EA.

WINSOK WSD30L40DN degişli material belgisi: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C. STMikroelektronika STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA, PE507BA.

WINSOK WSD30100DN56 degişli material belgisi: AOS AON6354, AON6572, AON6314, AON6502, AON6510 BSC014N03LSG, BSC016N03LSG, BSC014N03MSG, BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens ýarymgeçiriji PDC3960X.

WINSOK WSD30160DN56 degişli material belgisi: AOS AON6382, AON6384, AON6404A, AON6548.Onsemi, FAIRCHILD NTMFS4834N, NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ5426.NIKO

WINSOK WSD30150DN56 degişli material belgisi: AOS AON6512, AONS32304.Onsemi, FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428. NIKO-SEM PKC26BB, PKE24BB.Potens ýarymgeçiriji PDC3902X.

 

Elektron tizligi sazlaýjynyň işini optimizirläň:

MOSFET-iň iş şertlerini we zynjyr dizaýnyny optimizirlemek bilen, elektron tizligini sazlaýjynyň öndürijiligi hasam gowulaşyp biler. Munuň özi ýeterlik sowadyşy üpjün etmegi, degişli sürüjiniň zynjyryny saýlamagy we zynjyryň beýleki bölekleriniň hem öndürijilik talaplaryna laýyk gelmegini üpjün etmegi öz içine alýar.


Poçta wagty: 26-2023-nji oktýabr