Soňky ýyllarda LED hereketlendiriji elektrik üpjünçiligi pudagy çalt tehnologiki ösüş we energiýa tygşytlaýjy çözgütlere islegiň artmagy bilen häsiýetlendirildi. Durnuklylygyň global itergi bilen LED yşyklandyryş ulgamlarynyň bazara kabul edilmegi ep-esli ýokarlandy, bu bolsa öz gezeginde LED elektrik pudagynyň ösmegine itergi berdi.
Bazar dinamikasyndan çen tutsaň, bu pudak akylly yşyklandyryş çözgütlerine barha artýan islegi kanagatlandyrmak üçin akylly we programmirläp bolýan funksiýalary birleşdirýän LED sürüjileriň tendensiýasyna şaýatlyk edýär. IoT (Zatlar interneti) we AI (Emeli intellekt) peýda bolmagy yşyklandyryjy ulgamlary has çylşyrymlaşdyrdy, LED sürüjileri elektrik energiýasyny sarp etmegi we hakyky wagtda üýtgeýän şertlere uýgunlaşdy.
“LED” hereketlendiriji energiýa pudagynda netijelilik we kommutasiýa tizligiMOSFET(Metal oksid ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistorlary) örän möhümdir. Bu ýarymgeçiriji enjamlar, ýokary toklary minimal ýitgiler bilen dolandyryp, energiýa tygşytly işlemegi üpjün edip bilýänligi sebäpli, LED elektrik üpjünçiliginiň aýrylmaz bölegidir. MOSFET tehnologiýasynyň esasy aýratynlyklary, pes garşylykly we çalt kommutasiýa mümkinçilikleri, ykjam, ygtybarly we ýokary öndürijilikli LED draýwerleri işledip, elektrik üpjünçiliginiň dizaýnlaryny güýçlendirýär. Pes derwezeli zarýad we ýylylyk öndürijiligini gowulandyrýanlar ýaly MOSFET dizaýnynda gazanylan üstünlikler, durnukly, energiýa tygşytlaýan we tygşytly programmalara ünsi jemläp, LED yşyklandyryş güýji çözgütleriniň ösüşine itergi berýär.
ProgrammaWINSOKLED hereketlendiriji elektrik üpjünçiliginde MOSFET, esasy ulanylýan modeller:
| Bölek belgisi | Sazlama | Görnüşi | VDS | Şahsyýetnamasy (A) | VGS (th) (v) | RDS (ON) (mΩ) | Öpmek | Bukja | |||
| @ 10V | |||||||||||
| (V) | Maks. | Min. | Görnüşi. | Maks. | Görnüşi. | Maks. | (pF) | ||||
| Leeke | N-Ç | 30 | 7 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
| Ikitaraplaýyn | N-Ç | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | SOP-8 | |
| N + P. | N-Ç | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | SOP-8 | |
| P-Ç | -60 | -4.5 | -1.5 | -2 | -2.5 | 60 | 75 | 500 | |||
| Leeke | N-Ç | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | TO-252 | |
| Leeke | N-Ç | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 | TO-252 | |
Aboveokardaky WINSOK-a gabat gelýän beýleki marka material belgileriMOSFETaşakdakylar:
WINSOK MOSFET WST3400-iň degişli material belgileri: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. NIKO-SEM P3203CMG. Potens ýarymgeçiriji PDN3912S. DINTEK ELEKTRONIK DTS3406.
WINSOK MOSFET WSP6946-nyň degişli material belgileri: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Potens ýarymgeçiriji PDS6810. DINTEK ELEKTRONIK DTM4946.
WINSOK MOSFET WSP6067-iň degişli material belgileri: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Potens ýarymgeçiriji PDS6710. DINTEK ELEKTRONIKLERI DTM9906, DTM9908.
WINSOK MOSFET-iň degişli material belgileri: AOS AO4611, AO4612.
WINSOK MOSFET WSF15N10 üçin degişli material belgileri: AOS AOD478, AOD2922.Potens ýarymgeçiriji PDD0956.
Degişli material sanlaryWINSOK MOSFETWSF40N10: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA, P1410BD.Potens ýarymgeçiriji PDD0904.DINTEK ELEKTRONIK DTU40N10.
Umuman aýdanyňda, LED hereketlendiriji energiýa pudagy, energiýa netijeliligi, ösen tehnologiýalar we akylly we dowamly yşyklandyryş çözgütleriniň global ýakynlaşmagy bilen dowam etdirilýän ösüşe taýýardyr.
Iş wagty: Noýabr-06-2023
