Ylmyň we tehnologiýanyň yzygiderli ösmegi bilen akylly lukmançylyk enjamlary lukmançylyk pudagynyň innowasiýalary we ösüşi üçin möhüm hereketlendiriji güýje öwrüldi.Olaryň arasynda MOSFET (metal-oksid-ýarymgeçiriji meýdan effektli tranzistor) tehnologiýasy lukmançylyk enjamlarynyň işleýşini gowulandyrmakda we energiýa sarp edilişini azaltmakda möhüm rol oýnaýar.MOSFET ýokary netijeliligi, garşylygy pes we çalt kommutasiýa mümkinçilikleri sebäpli akylly lukmançylyk enjamlarynda aýrylmaz komponente öwrüldi.
Göçme lukmançylyk enjamlary ulgamynda,MOSFETminiatýurizasiýa we pes energiýa sarp etmegi ony iň gowy saýlamaga öwürýär.Ykjam giňişlikde netijeli güýç dolandyryşyny üpjün edýär, enjamyň batareýasynyň ömrüni uzaldyp, enjamyň möhüm pursatlarda takyk we ygtybarly lukmançylyk hyzmatlaryny berip biljekdigini üpjün edýär.
Akylly lukmançylyk enjamlaryelektrokardiograflar, gan basyşynyň monitorlary we gan glýukoza hasaplaýjylary MOSFET tehnologiýasyny giňden kabul edip başlady.MOSFET-ler diňe bir bu enjamlaryň işleýşini gowulandyrmak bilen çäklenmän, energiýa sarp edilişini azaltmak arkaly olary ekologiýa taýdan arassa we tygşytly edýär.
MOSFET-ler MRI we KT skanerleri ýaly lukmançylyk şekillendiriş ugurlarynda möhüm rol oýnaýar.Onuň çalt kommutasiýa mümkinçilikleri we ýokary öndürijiligi lukmançylyk şekillendiriş enjamlarynyň ýokary çözgütli we ýokary hilli şekilleri üpjün edip biljekdigini, lukmanlara has takyk diagnoz goýmagyna kömek edýär.
WINSOK MOSFET akylly lukmançylyk enjamlary ulgamynda amaly material belgisi:
| Bölek belgisi | Sazlama | Görnüşi | VDS | Şahsyýetnamasy (A) | VGS (th) (v) | RDS (ON) (mΩ) | Öpmek | Bukja | |||
| @ 10V | |||||||||||
| (V) | Maks. | Min. | Görnüşi. | Maks. | Görnüşi. | Maks. | (pF) | ||||
| Leeke | N-Ç | 30 | 7 | 0,5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
| Leeke | P-Ç | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Leeke | N-Ç | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| Leeke | N-Ç | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
| Leeke | P-Ç | -20 | -120 | -0.4 | -0.6 | -1 | - | - | 4950 | DFN5X6-8 | |
| Leeke | P-Ç | -30 | -120 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
| Leeke | N-Ç | 30 | 43 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | 10 | 12 | 940 | TO-252 | |
| Leeke | N-Ç | 30 | 85 | 1 | 1.5 | 2.5 | 4.5 | 5.5 | 2295 | TO-252 | |
Degişli material belgisi:
WINSOK WST3400 degişli material belgisi: AOS AO3400, AO3400A, AO3404.Onsemi, FAIRCHILD FDN537N.NIKO-SEM P3203CMG.Potens ýarymgeçiriji PDN3912S.DINTEK ELEKTRONIK DTS3406.
WINSOK WSD30L40DN degişli material belgisi: AOS AON7405, AONR21357, AONR7403, AONR21305C.STMikroelektronika STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA, PE507BA.
WINSOK WSD30100DN56 degişli material belgisi: AOS AON6354, AON6572, AON6314, AON6502, AON6510.
NTMFS4946N.WISHAY SiRA60DP, SiDR390DP, SiRA80DP, SiDR392DP. JIT PJQ5424.NIKO-SEM PK698SA.Potens ýarymgeçiriji PDC3960X.
WINSOK WSD30150DN56 degişli material belgisi: AOS AON6512, AONS32304Onsemi, FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.PANJIT PJQ5428.NIKO-SEM PKC26BB, PKE24BB.Potens ýarymgeçiriji PDC3.
WINSOK WSD20L120DN56 degişli material belgisi: AOS AON6411.TOSHIBA TPH1R403NL.
WINSOK WSD30L120DN56 degişli material belgisi: AOS AON6403, AON6407, AON6411.PANJIT PJQ5427.NIKO-SEM PK5A7BA.Potens ýarymgeçiriji PDC3901X.
WINSOK WSF3040 degişli material belgisi: AOS AOD32326, AOD418, AOD514, AOD516, AOD536, AOD558.Onsemi, FAIRCHILD FDD6296.STMikroelektronika STD40NF3LL.INFINEON, IR IPD090N03LG.TAN NSU, SM3119NAU.
WINSOK WSF3085 degişli material belgisi: AOS AOD4132, AOD508, AOD518.
Umuman aýdanyňda, MOSFET tehnologiýasy has täsirli, has takyk we ekologiýa taýdan arassa bolmak üçin akylly lukmançylyk enjamlarynyň ösmegine kömek edýär.Tehnologiýanyň yzygiderli ösmegi bilen, MOSFET akylly lukmançylyk enjamlarynda giň ulanylyş mümkinçiliklerine eýedir we lukmançylyk pudagyna has köp täzelikler we üýtgeşmeler getirer diýlip garaşylýar.
Iş wagty: 27-2023-nji oktýabr
